半导体芯片制造工

06.11.2014 10:31

半导体芯片制造工国家职业标准 1.职业概况 1.1职业名称半导体芯片制造工。 1.2职业定义使用设备制造半导体分立器件、集成电路芯片的人员。 1.3职业等级本职业共设四个等级，分别为初级（国家职业资格五级）、中级（国家职业资格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。 1.4职业环境室内、常温、或高温。 1.5职业能力特征身体健康、反应灵敏。 1.6基本文化程度高中毕业。 1.7培训要求 1.7.1培训期限全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。晋级培训期限：初级培训时间不少于400标准学时；中级培训时间不少于300标准学时；高级培训时间不少于150标准学时；技师培训时间不少于150标准学时。 1.7.2培训教师培训中级、高级人员的教师应具有本职业技师以上职业资格或具有中、高级职称的专业技术人员担任；技师的培训教师由具有本职业高级技师以上职业资格或具有相应资格的高级职称的专业技术人员担任。 1.7.3培训场地要求标准教室及具备必要实验设备的实践场所。 1.8鉴定要求 1.8.1适用对象从事或准备从事本职业的人员。 1.8.2申报条件 ——初级（具备以下条件之一者）（1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。（2）在本职业连续见习工作2年以上。（3）本职业学徒期满。 ——中级（具备以下条件之一者）（1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作3年以上，经本职业中级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。（2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。（3）连续从事本职业工作7年以上。（4）取得经劳动保障行政部门审核认定的，以中级技能为培养目标的中等以上职业学校本职业（专业）毕业证书。 ——高级（具备以下条件之一者）（1）取得本职业中级职业资格证书后，连续从事本职业工作4年以上，经本职业高级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。（2）取得本职业中级职业资格证书后，连续从事本职业工作7年以上。（3）取得高级技工学校或经劳动保障行政部门审核认定的，以高级技能为培养目标的高等职业学校本职业（专业）证书。（4）取得本职业中级职业资格证书的大专以上专业或相关专业毕业生，并连续从事本职业工作2年以上。 ——技师（具备以下条件之一者）（1）取得本职业高级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上，经本职业技师正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。（2）取得本职业高级职业资格证书后，连续从事本职业工作8年以上。（3）高级技工学校本职业毕业生，连续从事本职业工作满2年。 1.8.3鉴定方式本职业鉴定分理论知识考试和技能操作考核，理论知识考试采用笔试方式，技能操作考核采用现场实际操作方式进行。两项考试（考核）均采用百分制，皆达60分以上者为合格。技师鉴定还须通过综合评审。 1.8.4考评人员与考生配比理论知识考试按1:15，但每个考场不少于2个考评员；技能操作考核按1:（3～5）。 1.8.5鉴定时间理论知识考试为90～120分钟；技能操作考核为150～180分钟。 1.8.6鉴定场所及要求理论知识考试在标准教室里；技能操作考核在半导体芯片制造厂的相关工序，并备有相关工序考核必需的材料。
2.基本要求 2.1职业道德 2.1.1职业道德基本知识 2.1.2职业守则（1）工作热情、主动。（2）自觉遵守劳动纪律。（3）遵纪守法，不谋私利。（4）敬业爱岗，实事求是。（5）遵守操作规程、做到文明、安全生产。（6）努力学习，不断提高理论水平和操作能力。（7）注重协作与交流，保持产品工艺稳定。（8）注意技术保密，工序的工艺文件及各类工艺记录不得擅自外借或者丢失。 2.2基础知识（1）半导体材料与晶体管原理基本知识。（2）半导体集成电路基本知识。（3）半导体器件工艺原理。（4）半导体常用设备、仪器、仪表的基本工作原理。（5）自用材料（晶片、气体、化学物品）的名称、性质和安全使用及保管知识。（6）相关法律、法规的基本常识。
3.工作要求本标准对初级、中级、高级和技师的技能要求依次递进，高级别包括低级别内容。 3.1初级

职业功能	工作内容		技能要求	相关知识
一、准备工作	（一）材料检查		能根据产品要求检定自用材料的合格性	相关检验标准
	（二）清洁处理		能按工艺要求对来料、工具及器皿进行清洁处理	半导体物理、化学基本知识
	（三）溶液及配制		能使用本岗位需用的腐蚀液、清洗液、胶类等物品
二、工艺操作	外延生长	（一）工艺条件设定	能按工艺规定设置设备运行程序	设备运行程序、外延基本知识、产品检验规范及相关知识
		（二）操作	1.能开启、关闭炉并控制炉温 2.能按工艺程序进行外延操作 3.会测量外延层厚度、方块电阻等工艺参数
		（三）质量判定	能按产品检验规范进行质量自检
	氧化扩散	（一）工艺条件设定	能按工艺规定，设置设备运行程序	设备运行程序、氧化扩散基本知识、产品检验规范及相关知识
		（二）操作	1.能测定炉温 2.能按工艺程序进行氧化扩散操作 3.会测量方块电阻、h _FE 等工艺参数
		（三）质量判定	能按产品检验规范进行质量自检
	离子注入	（一）工艺条件设定	1.能按工艺规定，设定设备的操作程序 2.能设定退火温度	设备运行程序、离子注入基本知识、产品检验规范及相关知识
		（二）操作	1.能进行离子注入的工艺操作 2.会测量h _FE 、漏电流、击穿电压等工艺参数
		（三）质量判定	能按产品检验规范进行质量自检
	化学汽相淀积	（一）工艺条件设定	能按工艺规定设置设备运行程序	设备运行程序、化学汽相淀积基础知识、产品检验规范及相关知识
		（二）操作	1.能熟练进行化学汽相淀积的工艺操作 2.能测定和控制汽相淀积设备化学反应区的温度 3.会测量淀积厚度等工艺参数
		（三）质量判定	能按产品检验规范进行质量自检
	光刻	（一）工艺条件设定	1.能根据不同的刻蚀对象设定匀胶厚度、曝光、坚膜时间 2.能根据不同的产品正确选用掩膜版	光刻基本知识、产品检验规范及相关知识
		（二）操作	1.能按工艺规定的程序进行刻蚀 2.能熟练使用光刻机
		（三）质量判定	能按产品检验规范进行光刻质量自检
	台面成型	（一）工艺条件设定	能根据来料的工艺参数确定样片腐蚀时间	台面成型基本知识、产品检验规范及相关知识
		（二）操作	1.能根据确定的腐蚀时间进行样片腐蚀和测试 2.参照样片测试结果，按工艺规定的程序进行台面腐蚀、钝化、固化 3.会测量击穿电压、漏电流等工艺参数
		（三）质量判定	能按产品检验规范进行腐蚀、钝化质量自检
	半导体器件电镀	（一）工艺条件设定	能根据给定的镀件选择镀液并设定工艺条件	元器件电镀基础知识、检验规范及相关知识
		（二）操作	1.能对被镀件进行镀前处理 2.按产品要求及电镀程序进行镀覆
		（三）质量判定	能按产品检验规范自检镀件质量
三、文件及记录	（一）产品随工单		能按产品随工单要求填写工艺条件及相关参数	工艺卡、工艺记录
	（二）工艺记录		能记录产品的工艺条件、设备运行状态及相关环境条件
四、设备使用维护	（一）设备		熟悉设备性能及开关程序，并能使用和进行温度测定	电子设备相关知识
	（二）仪器、仪表		能正确使用仪器、仪表

3.2中级

职业功能	工作内容		技能要求	相关知识
一、准备工作	（一）材料检查		能根据产品要求鉴定工序使用材料	相关检验标准
	（二）清洁处理		能按工艺要求对来料、工具及用具进行处理	半导体物理、化学基本知识
	（三）溶液及配制		能掌握各类自用腐蚀液、清洗液、胶类的配制方法
二、工艺操作	外延生长	（一）工艺条件设定	能独立并熟练设置设备运行程序	作业指导书、外延基本知识
		（二）操作	1.能按工艺程序进行外延操作 2.能按作业指导书的要求控制工艺条件，确保电阻率、厚度达到规范值 2.3能测试方块电阻、位错、层错、层厚等工艺参数
		（三）质量判定	对工序的异常质量状况能进行分析
	氧化扩散	（一）工艺条件设定	1.能按不同产品的工艺参数确定炉温和扩散时间 2.能测量炉温	氧化扩散基础知识、作业指导书
		（二）操作	1.能按工艺程序进行氧化扩散操作 2.能按作业指导书的要求控制工艺条件，确保表面质量、氧化层厚度及其它物理参数、电参数达到规范值 3.能测试方块电阻、氧化层厚度、h _FE 、结深等工艺参数
		（三）质量判定	对工序的异常质量状况能进行分析
	离子注入	（一）工艺条件设定	1.能设定设备的操作程序 2.能设定退火温度	离子注入基本知识、作业指导书
		（二）操作	1.能进行离子注入的工艺操作 2.能根据不同产品要求调整加速能量 3.能测试h _FE 、结深等工艺参数
		（三）质量判定	对工序的异常质量状况能进行分析
	化学汽相淀积	（一）工艺条件设定	能独立并熟练设置设备运行程序	化学汽相淀积基本知识、作业指导书
		（二）操作	1.能从事化学汽相淀积的工艺操作 2.能测定和控制汽相淀积设备化学反应区的温度 3.能测试薄膜厚度和折射率
		（三）质量判定	对工序的异常质量状况能进行分析
	光刻	（一）工艺条件设定	1.根据不同的刻蚀对象选择匀胶厚度、曝光、坚膜时间 2.根据不同的产品正确选用掩膜版	光刻基本知识、作业指导书
		（二）操作	1.能按工艺规定的程序进行刻蚀 2.能使用光刻机 3.能刻蚀不同材料
		（三）质量判定	对工序的异常质量状况，如钻蚀、溶胶、针孔产生的原因进行分析并能提供分析报告
	台面成型	（一）工艺条件设定	根据来料的工艺参数确定样片腐蚀条件及时间	台面成型基本知识、作业指导书
		（二）操作	1.能根据确定的腐蚀时间进行样片腐蚀和测试 2.能参照样片测试结果，按工艺规定的程序进行台面腐蚀、钝化、固化 3.能测试台面腐蚀深度和电参数，如击穿电压、漏电流等
		（三）质量判定	对工序的异常质量状况能进行分析
	半导体器件电镀	（一）工艺条件设定	根据不同镀件选择镀液并设定工艺条件	作业指导书、元器件电镀基本知识
		（二）操作	1.能对被镀件进行镀前处理 2.能按产品要求及电镀程序进行镀覆 3.能调整溶液的PH值
		（三）质量判定	对工序的异常质量状况能进行分析
三、文件及记录	（一）产品随工单		能按产品随工单要求填写工艺条件及相关参数	质量管理知识
	（二）工艺记录		1.能记录产品的工艺条件、设备运行状态，及相关环境条件 2.对异常质量进行分析报告
四、设备使用维护	（一）设备		1.熟悉设备性能及开关程序，并能正确使用 2.了解所用设备的基本工作原理	电子设备相关知识
	（二）仪器、仪表		能使用相关仪器、仪表，并能进行一般维护

3.3高级

职业功能	工作内容		技能要求	相关知识
一、准备工作	（一）材料检查		能根据产品要求正确选择合适的材料、化学试剂，并了解材料性能	相关检验标准
	（二）清洁处理		1.能全面掌握材料、工具、石英器皿的多种清洁处理办法 2.熟悉化学清洗原理	半导体物理、化学基本知识
	（三）溶液及配制		能根据环境和使用要求调整清洗液、腐蚀液、镀液等的配比，使之满足产品要求
二、工艺操作	外延生长	（一）工艺条件设定	1.能设置设备运行程序 2.能按不同产品要求熟练设置工艺条件	外延工艺原理
		（二）操作	1.能掌握两种外延工艺，并能掌握不同掺杂、不同类型外延的工艺方法 2.能调整外延工艺条件如掺杂源，使之满足产品要求
		（三）质量判定	能分析质量状况，并提出工艺改进措施
	氧化扩散	（一）工艺条件设定	能按不同产品及产品不同的参数要求正确熟练选择氧化扩散工艺条件，如掺杂源、炉温、扩散时间等	氧化扩散工艺基本知识
		（二）操作	1.熟练掌握不同的氧化工艺和不同掺杂的扩散工艺 2.能根据产品的不同要求及时调整工艺条件，并能根据工艺参数的变化调整炉温、时间、气氛、杂质源流量等，使之满足产品的要求 3.会测量扩散结深
		（三）质量判定	能分析质量状况，并提出工艺改进措施
	离子注入	（一）工艺条件设定	能按不同产品及产品不同的参数要求确定离子注入，如杂质源的选择、结深、h _FE 等工艺条件	离子注入基本原理
		（二）操作	1.掌握不同掺杂源离子注入方法 2.能根据产品不同要求及时调整诸如掺杂量、离子速能量、气氛等工艺参数，使之满足产品要求 3.会测量注入结深
		（三）质量判定	1.能分析质量状况，并提出工艺改进措施
	化学汽相淀积	（一）工艺条件设定	能按不同产品及产品不同的参数要求确定化学汽相淀积，诸如淀积源、温度、时间、气氛等工艺条件	化学汽相淀积基本原理
		（二）操作	1.掌握不同杂质源汽相淀积方法 2.能根据产品的不同要求及时调整工艺条件，如淀积源流量，淀积温度、时间等，使之满足产品要求
		（三）质量判定	能分析质量状况，并提出工艺改进措施
	光刻	（一）工艺条件设定	能选择不同产品及不同光刻步骤所采用的掩膜版、光刻胶、显影液及各种腐蚀去胶法	光刻基本原理
		（二）操作	1.能掌握不同光刻胶的应用方法 2.能掌握光刻各种腐蚀去胶方法 3.能掌握不同产品的不同光刻工艺并能根据客观条件及时调整光刻，诸如显影、曝光时间、腐蚀条件，使之满足产品的要求 4.能掌握光刻机曝光性能及定位偏差
		（三）质量判定	能分析质量状况，并提出工艺改进措施
	台面成型	（一）工艺条件设定	能按不同产品及产品不同的参数要求确定台面成型工艺条件	台面成型工艺原理
		（二）操作	1.掌握不同的台面成型工艺，并具较高操作技能 2.能根据产品的不同要求及时调整台面成型工艺，并能根据工艺参数变化及时调整台面劈尖、表面钝化等工艺条件，使之满足产品要求 3.会测量台面劈尖角、钝化层厚度
		（三）质量判定	能分析质量状况，并提出工艺改进措施
	半导体器件电镀	（一）工艺条件设定	能根据镀层与基体的配合规律对既定基体选定最合适的镀液及镀覆的条件	元器件电镀的原理
		（二）操作	1.全面掌握半导体器件电镀工艺并具较高操作技能 2.能根据不同产品的要求及镀层质量及时调整镀液配比、镀液条件，使之满足产品要求 3.会定性分析镀层质量
		（三）质量判定	能分析质量状况，并提出工艺改进措施
三、文件及记录	（一）产品随工单		能按产品随工单要求填写工艺条件及相关参数	可靠性分析基础方法
	（二）工艺记录		能提出异常质量分析及改进措施建议
四、设备使用维护	（一）设备		1.熟悉设备性能及开关程序，并能使用 2.能使用设备的工作原理 3.能排除自用设备的一般故障	电子设备相关知识
	（二）仪器、仪表		1.能正确使用较精密的仪器、仪表 2.能排除一般故障
五、培训及管理	（一）指导操作		能指导中级以下人员提高操作水平	管理基础知识
	（二）知识讲座		能讲授相关工艺基础知识

3.4技师

职业功能	工作内容		技能要求	相关知识
一、工艺操作	外延	（一）操作	1.能解决外延操作中的复杂问题、全面掌握气相淀积和真空淀积两种外延方法，能准确调控外延相关材料和工艺 2.具备推广应用新工艺、新材料的能力	半导体工艺原理外延工艺原理
		（二）质量判定	能判断外延全部质量问题，并能制定改进方案并付诸实施
	氧化扩散	（一）操作	1.能解决氧化扩散操作中的复杂问题，全面掌握多种氧化扩散方法，能正确调控氧化扩散从杂质源到气氛等全部工艺条件 2.具备推广应用新工艺、新材料的能力	半导体工艺原理、氧化扩散工艺原理
		（二）质量判定	能判断全部工艺质量问题，并能制定改进方案并付诸实施
	离子注入	（一）操作	1.能解决离子注入操作中的复杂问题，完全掌握离子注入的方法，能调控离子注入从质源到气氛等全部工艺条件 2.具备推广应用新工艺、新材料的能力	新材料、新工艺、半导体工艺原理、离子注入工艺原理
		（二）质量判定	能判断全部工艺质量问题，并能制定改进方案并付诸实施
	化学汽相淀积	（一）操作	1.能解决化学汽相淀积操作中的复杂问题。完全掌握化学汽相淀积的方法，能正确调控从淀积源到气氛的全部工艺条件 2.具备推广应用新工艺、新材料的能力	半导体工艺原理、化学汽相淀积工艺原理、新材料、新工艺
		（二）质量判定	能判断全部工艺质量问题，并能制定改进方案并付诸实施
	光刻	（一）操作	1.能解决光刻操作中的复杂问题，掌握多种光刻技术，能正确调控从胶的配制到不同材料腐蚀的全部光刻工艺条件 2.具备推广应用新工艺、新材料的能力	半导体工艺原理、光刻工艺原理、新材料、新工艺
		（二）质量判定	能判断全部工艺质量问题，并能制定改进方案并付诸实施
	台面成型	（一）操作	1.能解决台面成型操作中的复杂问题，完全掌握多种台面成型办法，能正确调整台面开头钝化等工艺条件 2.具备推广应用新工艺、新材料的能力	半导体工艺原理、台面成型工艺原理、新材料、新工艺
		（二）质量判定	能判断全部工艺质量问题，并能制定改进方案并付诸实施
	半导体器件电镀	（一）操作	1.能解决半导体器件电镀操作中的复杂问题，完全掌握多种半导体器件电镀方法，能正确调控镀液配比、镀覆条件 2.具备推广应用新工艺、新材料的能力	半导体工艺原理、半导体器件电镀工艺原理、新材料、新工艺
		（二）质量判定	1.能解决半导体器件电镀操作中的复杂问题 2.具备推广应用新工艺、新材料的能力
二、文件及记录	（一）产品随工单		能按产品随工单要求填写工艺条件及相关参数	ISO9000
	（二）工艺记录		1.能提出工艺改进方案实施结果总结报告 2.能完整提出工艺试验计划并组织实施 3.能编写工艺文件 4.能绘制工模夹具、石英器皿加工图纸
三、设备使用维护	（一）设备		1.能参与复杂、高精度设备的调试验收 2.能发现及排除较复杂的设备故障	电子设备相关知识
	（二）仪器、仪表		1.能使用较精密的仪器、仪表 2.能排除较复杂的故障
四、培训及管理	（一）指导操作		具备指导高级以下人员提高操作技能的能力	综合知识
	（二）知识讲座		1.熟练讲授工艺理论知识 2.熟悉ISO9000-2000标准

4.比重表 4.1理论知识

项目			初级（%）	中级（%）	高级（%）	技师（%）
基本要求	职业道德		5	5	5	5
基本要求	基础知识		40	35	30	25
相关知识	准备工作		5	5	5
	工艺操作	工艺条件设定	5	5	5
		操作	20	20	20	10
		质量判定	10	10	10	20
	文件及记录		5	10	10	20
	设备使用维护		10	10	10	10
	培训及管理				5	10
合计			100	100	100	100

4.2操作技能

项目		初级（%）	中级（%）	高级（%）	技师（%）
准备工作		5	5	5
工艺操作	工艺条件设定	15	15	15
	操作	50	45	30	25
	质量判定	15	15	25	30
文件及记录		10	10	5	10
设备使用维护		5	10	10	20
培训及管理				10	15
合计		100	100	100	100